HYDROGEN CONCENTRATION AND BOND CONFIGURATIONS IN SILICON-NITRIDE FILMS PREPARED BY ECR PLASMA CVD METHOD

被引：29

作者：

HIRAO, T

SETSUNE, K

KITAGAWA, M

KAMADA, T

WASA, K

TSUKAMOTO, K

IZUMI, T

机构：

[1] TOKAI UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR,HIRATSUKA,KANAGAWA 25912,JAPAN

[2] MATSUSHITA TECHNORES INC,MORIGUCHI,OSAKA 570,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1988年 / 27卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.27.30

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：30 / 34

页数：5

共 4 条

HIRAO, T ;

SETSUNE, K ;

KITAGAWA, M ;

MANABE, Y ;

WASA, K ;

KOHIKI, S .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1987, 26 (05) :L544-L546

MATSUO, S ;

KIUCHI, M .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1983, 22 (04) :L210-L212

[3]

SUN RC, 1980, 18TH ANN P REL PHYS, P125

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DURAUD, JP ;

LEMOEL, A ;

LEGRESSUS, C ;

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