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BREAKDOWN VOLTAGE OF GRADE GALLIUM ARSENIDE P-N JUNCTIONS
被引:15
作者
:
KRESSEL, H
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0
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0
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0
KRESSEL, H
BLICHER, A
论文数:
0
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0
BLICHER, A
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1963年
/ 34卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1702778
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:2495 / &
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共 3 条
[1]
PHOTON EMISSION FROM AVALANCHE BREAKDOWN IN SILICON
CHYNOWETH, AG
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1956,
102
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[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1957,
104
(04)
: 222
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[1]
PHOTON EMISSION FROM AVALANCHE BREAKDOWN IN SILICON
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MCKAY, KG
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PHYSICAL REVIEW,
1956,
102
(02):
: 369
-
376
[2]
AVALANCHE BREAKDOWN IN SILICON
MCKAY, KG
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MCKAY, KG
[J].
PHYSICAL REVIEW,
1954,
94
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-
884
[3]
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VELORIC, HS
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SMITH, KD
[J].
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1957,
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