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MONOLITHIC MICROWAVE GALLIUM-ARSENIDE FET OSCILLATORS
被引:19
作者
:
JOSHI, JS
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JOSHI, JS
COCKRILL, JR
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COCKRILL, JR
TURNER, JA
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TURNER, JA
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1981年
/ 28卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1981.20303
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:158 / 162
页数:5
相关论文
共 12 条
[11]
PERFORMANCE OF GAAS MESFET OSCILLATORS IN FREQUENCY-RANGE 8-25 GHZ
[J].
TSERNG, HQ
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机构:
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
TSERNG, HQ
;
MACKSEY, HM
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TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
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MACKSEY, HM
;
SOKOLOV, V
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TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
SOKOLOV, V
.
ELECTRONICS LETTERS,
1977,
13
(03)
:85
-86
[12]
COMPACT USER MANUAL
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[11]
PERFORMANCE OF GAAS MESFET OSCILLATORS IN FREQUENCY-RANGE 8-25 GHZ
[J].
TSERNG, HQ
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机构:
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
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TSERNG, HQ
;
MACKSEY, HM
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TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
MACKSEY, HM
;
SOKOLOV, V
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机构:
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222
SOKOLOV, V
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ELECTRONICS LETTERS,
1977,
13
(03)
:85
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COMPACT USER MANUAL
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