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SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT FOR MEASUREMENT OF DOUBLE-LAYER POTENTIAL ON OXIDE-ELECTROLYTE INTERFACES

被引：3
作者：
CICHOS, C
GEIDEL, T
机构：
来源：
COLLOID AND POLYMER SCIENCE | 1978年 / 256卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1007/BF01638309
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
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页码：1140 / 1141
页数：2
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共 5 条
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BERGVELD, P .
IEEE TRANSACTIONS ON BIOMEDICAL ENGINEERING, 1972, BM19 (05) :342-&
[2]  
GOETZBERGER A, 1967, BELL SYST TECH J, V46, P1055
[3]   SURFACE STATE DENSITY EVALUATION USING HIGH-FREQUENCY MOS CAPACITANCE TECHNIQUE [J].
KATTO, H ;
ITOH, Y .
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1974, 21 (02) :627-637
[4]   TRANSISTOR METHOD FOR MEASURING CHANGES IN DOUBLE-LAYER POTENTIALS [J].
SCHENCK, JF .
JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, 1977, 61 (03) :569-576
[5]  
ZAININGER KH, 1970, SOLID STATE TECHNOL, V13, P49
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