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WIDEBAND DIRECT-COUPLED DIFFERENTIAL-AMPLIFIERS UTILIZING ALGAAS GAAS HBTS
被引:2
作者
:
NAKAJIMA, H
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NTT LSI Lab, Kanagawa, Jpn, NTT LSI Lab, Kanagawa, Jpn
NAKAJIMA, H
YAMAUCHI, Y
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NTT LSI Lab, Kanagawa, Jpn, NTT LSI Lab, Kanagawa, Jpn
ISHIBASHI, T
机构
:
[1]
NTT LSI Lab, Kanagawa, Jpn, NTT LSI Lab, Kanagawa, Jpn
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1988年
/ 24卷
/ 18期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19880800
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1178 / 1179
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[1]
A DESIGN AND PACKAGING TECHNIQUE FOR A HIGH-GAIN, GIGAHERTZ-BAND SINGLE-CHIP AMPLIFIER
[J].
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.
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1986,
21
(03)
:417
-423
[2]
Asbeck P. M., 1987, IEEE 1987 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. Digest of Papers (Cat. No.87CH2478-6), P1
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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1988,
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