ETCHING OF SI BY SF6 IN A RADIOFREQUENCY DOUBLE CATHODE

被引：8

作者：

BOSWELL, RW ^{[1
]}

BOUCHOULE, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ORLEANS,GREMI,F-45017 ORLEANS,FRANCE

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583684

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：883 / 888

页数：6

共 10 条

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