CARRIER ACCUMULATION AND SPACE-CHARGE-LIMITED CURRENT FLOW IN FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：13

作者：

KIM, C

YANG, ES

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90036-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1577 / &

共 14 条

[1]

[Anonymous], IEEE T ELECT DEVICES

[2] PURE SPACE-CHARGE-LIMITED ELECTRON CURRENT IN SILICON [J].

DENDA, S ;

NICOLET, MA .

GEURST, JA .

[4]

GREGORY BL, 1964, J APPL PHYS, V35, P753

[5]

GUMMEL HK, 1964, IEEE T, VED11, P455

[6]

KIM CK, 1970, IEEE T ELECTRON DEV, VED17, P120

[7] A SIMPLE DERIVATION FIELD-EFFECT TRANSISTOR CHARACTERISTICS [J].

MIDDLEBROOK, RD .

NEUMARK, GF ;

RITTNER, ES .

[9] BASIC LIMITS ON THE PROPERTIES OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

RICHER, I .

[10] THEORY OF SURFACE GATE DIELECTRIC TRIODE [J].

RITTNER, ES ;

NEUMARK, GF .