碳化硅半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480040292.6

申请日：

2004-12-01

公开(公告)号：

CN1902760A

公开(公告)日：

2007-01-24

发明(设计)人：

中山浩二菅原良孝浅野胜则土田秀一鎌田功穗三柳俊之中村智宣

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2973

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2007-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

清泽努 .

中国专利 :CN110120419A ,2019-08-13

[2]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

庭山雅彦 ;

内田正雄 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN103069571A ,2013-04-24

[3]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

工藤千秋 ;

宇都宫和哉 ;

林将志 .

中国专利 :CN101548387A ,2009-09-30

[4]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

北畠真 ;

山下贤哉 ;

内田正雄 ;

楠本修 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1788335A ,2006-06-14

[5]

碳化硅半导体元件以及碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

内海诚 ;

酒井善行 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105493245B ,2016-04-13

[6]

碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

藤井健志 ;

佐藤麻里子 ;

稻本拓朗 .

中国专利 :CN105874567B ,2016-08-17

[7]

碳化硅半导体元件以及其制造方法 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

洪湘婷 ;

黄尧峯 ;

李傳英 .

中国专利 :CN107046059B ,2017-08-15

[8]

碳化硅半导体元件以及其制造方法 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

黄尧峯 ;

洪湘婷 ;

李傳英 .

中国专利 :CN105810731A ,2016-07-27

[9]

碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

高桥邦方 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN101542688A ,2009-09-23

[10]

碳化硅半导体元件 [P].

颜诚廷 ;

洪湘婷 ;

许甫任 .

中国专利 :CN118299417A ,2024-07-05

← 1 2 3 4 5 →