碳化硅半导体元件以及碳化硅半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480048187.0

申请日：

2014-08-08

公开(公告)号：

CN105493245B

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

内海诚酒井善行福田宪司原田信介岡本光央

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2126 H01L21336 H01L2906 H01L2912 H01L2978

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

王颖;金玉兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	公开	公开
2018-01-16	授权	授权
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659544990 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014800481870 申请日:20140808

共 50 条

[1]

碳化硅半导体元件 [P].

颜诚廷 ;

洪湘婷 ;

许甫任 .

中国专利 :CN118299417A ,2024-07-05

[2]

碳化硅半导体元件 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

李传英 ;

李隆盛 .

中国专利 :CN105304708A ,2016-02-03

[3]

碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

藤井健志 ;

佐藤麻里子 ;

稻本拓朗 .

中国专利 :CN105874567B ,2016-08-17

[4]

碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

高桥邦方 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN101542688A ,2009-09-23

[5]

碳化硅半导体元件以及其制造方法 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

洪湘婷 ;

黄尧峯 ;

李傳英 .

中国专利 :CN107046059B ,2017-08-15

[6]

碳化硅半导体元件以及其制造方法 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

黄尧峯 ;

洪湘婷 ;

李傳英 .

中国专利 :CN105810731A ,2016-07-27

[7]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

庭山雅彦 ;

内田正雄 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN103069571A ,2013-04-24

[8]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

工藤千秋 ;

宇都宫和哉 ;

林将志 .

中国专利 :CN101548387A ,2009-09-30

[9]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

北畠真 ;

山下贤哉 ;

内田正雄 ;

楠本修 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1788335A ,2006-06-14

[10]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

中山浩二 ;

菅原良孝 ;

浅野胜则 ;

土田秀一 ;

鎌田功穗 ;

三柳俊之 ;

中村智宣 .

中国专利 :CN1902760A ,2007-01-24

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