碳化硅半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880000863.1

申请日：

2008-08-01

公开(公告)号：

CN101548387A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

工藤千秋宇都宫和哉林将志

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2912

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-09-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101626799607 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2008800008631 申请日:20080801 授权公告日:20120321 终止日期:20140801
2012-03-21	授权	授权
2009-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

庭山雅彦 ;

内田正雄 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN103069571A ,2013-04-24

[2]

碳化硅半导体元件以及其制造方法 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

洪湘婷 ;

黄尧峯 ;

李傳英 .

中国专利 :CN107046059B ,2017-08-15

[3]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

北畠真 ;

山下贤哉 ;

内田正雄 ;

楠本修 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1788335A ,2006-06-14

[4]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

中山浩二 ;

菅原良孝 ;

浅野胜则 ;

土田秀一 ;

鎌田功穗 ;

三柳俊之 ;

中村智宣 .

中国专利 :CN1902760A ,2007-01-24

[5]

碳化硅半导体元件及其制造方法 [P].

清泽努 .

中国专利 :CN110120419A ,2019-08-13

[6]

碳化硅半导体元件以及碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

内海诚 ;

酒井善行 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105493245B ,2016-04-13

[7]

碳化硅半导体元件 [P].

颜诚廷 ;

洪湘婷 ;

许甫任 .

中国专利 :CN118299417A ,2024-07-05

[8]

碳化硅半导体元件以及其制造方法 [P].

颜诚廷 ;

洪建中 ;

黄尧峯 ;

洪湘婷 ;

李傳英 .

中国专利 :CN105810731A ,2016-07-27

[9]

碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

藤井健志 ;

佐藤麻里子 ;

稻本拓朗 .

中国专利 :CN105874567B ,2016-08-17

[10]

碳化硅半导体元件的制造方法 [P].

高桥邦方 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN101542688A ,2009-09-23

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