一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310246864.7

申请日：

2013-06-20

公开(公告)号：

CN103311375A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

朱嘉琦杨磊曹文鑫韩杰才

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

C23C1435 C23C1408

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

杨立超

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/18 登记生效日:20180828 变更事项:专利权人变更前权利人:哈尔滨工业大学变更后权利人:浙江润光照明科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更后权利人:317100 浙江省台州市三门县海润街道枫坑工业园区工业大道1号
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531541045 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2013102468647 申请日:20130620
2015-09-09	授权	授权
2013-09-18	公开	公开

共 50 条

[1]

室温下制备AZO透明导电薄膜的方法 [P].

李辉 ;

屈飞 ;

古宏伟 ;

王文静 .

中国专利 :CN107502861A ,2017-12-22

[2]

低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

唐武 ;

王雅琴 .

中国专利 :CN103590000A ,2014-02-19

[3]

一种掺铪氧化铟透明导电薄膜及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

张家嘉 .

中国专利 :CN115418609A ,2022-12-02

[4]

氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘海笑 ;

王钦宁 ;

吴巍 ;

李树红 ;

马英姿 ;

董艳 ;

张仲江 .

中国专利 :CN101615450A ,2009-12-30

[5]

一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏青峰 ;

宋姜兴子 ;

田敬坤 ;

王传博 ;

奚明 .

中国专利 :CN117721446A ,2024-03-19

[6]

一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法 [P].

黄信二 .

中国专利 :CN103205708A ,2013-07-17

[7]

一种改良的氧化铟透明导电薄膜退火方法 [P].

沈辉 ;

姚志荣 ;

李圣浩 ;

王学孟 .

中国专利 :CN106521415B ,2017-03-22

[8]

铟镧钛氧化物透明导电薄膜 [P].

刘星元 ;

刘晓新 ;

王宁 .

中国专利 :CN101752027A ,2010-06-23

[9]

一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

黄靖云 ;

陆波静 ;

夏功伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN114807856A ,2022-07-29

[10]

一种透明导电薄膜及其制备方法 [P].

智林杰 ;

何海勇 ;

石琳 ;

方岩 ;

王杰 ;

邱腾飞 .

中国专利 :CN103213350B ,2013-07-24

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