氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910015238.0

申请日：

2009-05-15

公开(公告)号：

CN101615450A

公开(公告)日：

2009-12-30

发明(设计)人：

刘海笑王钦宁吴巍李树红马英姿董艳张仲江

申请人：

申请人地址：

255086山东省淄博市开发区柳泉路264号

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

H01B514

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101188501507 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2009100152380 公开日:20091230
2010-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法 [P].

龚大卫 ;

樊永良 ;

蒋最敏 ;

候晓远 ;

王迅 .

中国专利 :CN1257135A ,2000-06-21

[2]

一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏青峰 ;

宋姜兴子 ;

田敬坤 ;

王传博 ;

奚明 .

中国专利 :CN117721446A ,2024-03-19

[3]

氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 [P].

郑怀文 ;

张逸韵 ;

吴奎 ;

杨华 ;

李璟 .

中国专利 :CN102244159B ,2011-11-16

[4]

低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

唐武 ;

王雅琴 .

中国专利 :CN103590000A ,2014-02-19

[5]

柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法 [P].

王德苗 ;

苏达 ;

金浩 ;

任高潮 .

中国专利 :CN101294272A ,2008-10-29

[6]

一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

黄靖云 ;

陆波静 ;

夏功伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN114807856A ,2022-07-29

[7]

透明导电铟掺杂氧化锡 [P].

K·K·乌普雷蒂 ;

K·H·拉克达瓦拉 ;

R·谢伦伯格 ;

M·A·艾利 .

中国专利 :CN106460154A ,2017-02-22

[8]

采用银膜刻蚀制备柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的方法与应用 [P].

曹文鑫 ;

孙春强 ;

朱嘉琦 ;

王卓超 ;

李坤 ;

段超 ;

高岗 .

中国专利 :CN119581101A ,2025-03-07

[9]

一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

王革 ;

李媛媛 ;

彭铮 ;

彭德香 ;

王文静 .

中国专利 :CN102544233A ,2012-07-04

[10]

铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

毛启明 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103137717A ,2013-06-05

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