一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210477723.5

申请日：

2022-04-28

公开(公告)号：

CN114807856A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

黄靖云陆波静夏功伟叶志镇

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1428

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

万尾甜;韩介梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20220428
2022-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

氟掺杂氧化锡透明导电薄膜玻璃及其制造方法 [P].

金相学 ;

金昌烈 ;

柳道馨 ;

许胜宪 ;

赵光渊 ;

宋哲圭 .

中国专利 :CN101372395B ,2009-02-25

[2]

氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘海笑 ;

王钦宁 ;

吴巍 ;

李树红 ;

马英姿 ;

董艳 ;

张仲江 .

中国专利 :CN101615450A ,2009-12-30

[3]

金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法 [P].

龚大卫 ;

樊永良 ;

蒋最敏 ;

候晓远 ;

王迅 .

中国专利 :CN1257135A ,2000-06-21

[4]

一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏青峰 ;

宋姜兴子 ;

田敬坤 ;

王传博 ;

奚明 .

中国专利 :CN117721446A ,2024-03-19

[5]

超声雾化制备氟掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法及其应用 [P].

周云 ;

余庚 .

中国专利 :CN119132737A ,2024-12-13

[6]

镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法 [P].

何军辉 ;

刘振华 ;

刘拥军 .

中国专利 :CN102181826B ,2011-09-14

[7]

透明导电铟掺杂氧化锡 [P].

K·K·乌普雷蒂 ;

K·H·拉克达瓦拉 ;

R·谢伦伯格 ;

M·A·艾利 .

中国专利 :CN106460154A ,2017-02-22

[8]

氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

徐洪芳 ;

王绩伟 ;

李佳 ;

范晓星 ;

谭天亚 ;

卢雪梅 ;

康大为 .

中国专利 :CN104451610A ,2015-03-25

[9]

铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

毛启明 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103137717A ,2013-06-05

[10]

一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

宁洪龙 ;

刘贤哲 ;

姚日晖 ;

张旭 ;

袁炜健 ;

张观广 ;

梁志豪 ;

梁宏富 ;

张啸尘 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN109727702A ,2019-05-07

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