透明导电铟掺杂氧化锡

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580028918.X

申请日：

2015-03-12

公开(公告)号：

CN106460154A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

K·K·乌普雷蒂 K·H·拉克达瓦拉 R·谢伦伯格 M·A·艾利

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州克利夫兰市

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

代理机构：

北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382

代理人：

侯淑红;王瑞琳

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/08 申请公布日:20170222
2017-02-22	公开	公开
2017-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729356170 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:201580028918X 申请日:20150312

共 50 条

[1]

氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘海笑 ;

王钦宁 ;

吴巍 ;

李树红 ;

马英姿 ;

董艳 ;

张仲江 .

中国专利 :CN101615450A ,2009-12-30

[2]

一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

黄靖云 ;

陆波静 ;

夏功伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN114807856A ,2022-07-29

[3]

氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法 [P].

具本庆 ;

尹汉镐 ;

朴柱玉 ;

朴炯律 ;

金眩秀 ;

崔成龙 ;

崔仲烈 ;

宋礼根 ;

朴峻弘 .

中国专利 :CN101457344B ,2009-06-17

[4]

氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 [P].

郑怀文 ;

张逸韵 ;

吴奎 ;

杨华 ;

李璟 .

中国专利 :CN102244159B ,2011-11-16

[5]

一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏青峰 ;

宋姜兴子 ;

田敬坤 ;

王传博 ;

奚明 .

中国专利 :CN117721446A ,2024-03-19

[6]

氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜 [P].

姜信赫 ;

崔畯皓 ;

高榥庸 ;

郑相澈 .

中国专利 :CN102051587A ,2011-05-11

[7]

金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法 [P].

龚大卫 ;

樊永良 ;

蒋最敏 ;

候晓远 ;

王迅 .

中国专利 :CN1257135A ,2000-06-21

[8]

一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

王革 ;

李媛媛 ;

彭铮 ;

彭德香 ;

王文静 .

中国专利 :CN102544233A ,2012-07-04

[9]

氧化铟锡透明导电玻璃及其生产工艺 [P].

徐雪群 .

中国专利 :CN1769326A ,2006-05-10

[10]

铜掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

毛启明 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103137717A ,2013-06-05

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