氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810180006.6

申请日：

2008-11-19

公开(公告)号：

CN101457344B

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

具本庆尹汉镐朴柱玉朴炯律金眩秀崔成龙崔仲烈宋礼根朴峻弘

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

徐江华;王珍仙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-17	公开	公开
2016-01-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101642079862 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2008101800066 申请日:20081119 授权公告日:20120425 终止日期:20141119
2014-06-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702242428 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2008101800066 变更事项:专利权人变更前权利人:三星康宁精密素材株式会社变更后权利人:三星康宁先进玻璃有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:韩国庆尚北道变更后权利人:韩国忠淸南道登记生效日:20140604
2012-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

铟锡氧化膜的制造方法 [P].

菱田光起 .

中国专利 :CN1185529C ,2003-02-05

[2]

氧化铟类透明导电膜及其制造方法 [P].

高桥诚一郎 ;

宫下德彦 .

中国专利 :CN101317237A ,2008-12-03

[3]

透明导电铟掺杂氧化锡 [P].

K·K·乌普雷蒂 ;

K·H·拉克达瓦拉 ;

R·谢伦伯格 ;

M·A·艾利 .

中国专利 :CN106460154A ,2017-02-22

[4]

氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 [P].

高见英生 ;

生泽正克 .

中国专利 :CN105439541A ,2016-03-30

[5]

氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 [P].

高见英生 ;

生泽正克 .

中国专利 :CN102471160B ,2012-05-23

[6]

铟锡氧化物透明导电膜生产工艺 [P].

彭传才 ;

金昭廷 .

中国专利 :CN87107654A ,1988-10-12

[7]

氧化铟锡粉末 [P].

米泽岳洋 ;

山崎和彦 ;

林年治 .

中国专利 :CN103771496A ,2014-05-07

[8]

氧化铟系烧结体及氧化铟系透明导电膜 [P].

生泽正克 ;

高见英生 .

中国专利 :CN102666429A ,2012-09-12

[9]

氧化铟锡导电层的制备方法、氧化铟锡导电层及触摸屏 [P].

陈仕奇 ;

徐勇 .

中国专利 :CN118280652A ,2024-07-02

[10]

氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘海笑 ;

王钦宁 ;

吴巍 ;

李树红 ;

马英姿 ;

董艳 ;

张仲江 .

中国专利 :CN101615450A ,2009-12-30

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