铟锡氧化物透明导电膜生产工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN87107654.3

申请日：

1987-12-31

公开(公告)号：

CN87107654A

公开(公告)日：

1988-10-12

发明(设计)人：

彭传才金昭廷

申请人：

申请人地址：

湖南省长沙市北区

IPC主分类号：

H01B514

IPC分类号：

C23C1400

代理机构：

国防科学技术大学专利办公室

代理人：

盛湘饶

法律状态：

视为撤回的专利申请

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1991-10-02	视为撤回的专利申请	视为撤回的专利申请
1988-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

铟锡氧化物的透明导电层状镀层 [P].

H·梅马里安 ;

H·帕特尔 .

中国专利 :CN1525912A ,2004-09-01

[2]

氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法 [P].

具本庆 ;

尹汉镐 ;

朴柱玉 ;

朴炯律 ;

金眩秀 ;

崔成龙 ;

崔仲烈 ;

宋礼根 ;

朴峻弘 .

中国专利 :CN101457344B ,2009-06-17

[3]

铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液 [P].

赵炜 ;

程花蕾 ;

吴静 ;

李翌辉 .

中国专利 :CN101550340A ,2009-10-07

[4]

一种用于铟锡氧化物半导体透明导电膜蚀刻的蚀刻液 [P].

王润杰 ;

陈浩 ;

卢洪庆 ;

严増源 .

中国专利 :CN110862825A ,2020-03-06

[5]

铟锡氧化物 [P].

D·A·格雷厄姆 .

中国专利 :CN101014537A ,2007-08-08

[6]

透明导电氧化物 [P].

弗拉基米尔·L·库兹涅佐夫 ;

彼得·P·爱德华兹 .

中国专利 :CN102576577A ,2012-07-11

[7]

透明导电氧化物 [P].

理查德·欧内斯特·德马雷 ;

穆昆丹·纳拉辛汉 .

中国专利 :CN1826423A ,2006-08-30

[8]

氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

秋池良 ;

土田裕也 ;

仓持豪人 .

中国专利 :CN108698932B ,2018-10-23

[9]

复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

秋池良 ;

饭草仁志 .

中国专利 :CN104520467A ,2015-04-15

[10]

锰锡氧化物类透明导电氧化物及利用其的多层透明导电膜以及其制备方法 [P].

崔志远 ;

崔源国 ;

金镇相 ;

任咳摞 .

中国专利 :CN105845196B ,2016-08-10

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