氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080032234.4

申请日：

2010-09-30

公开(公告)号：

CN102471160B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

高见英生生泽正克

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1434 C04B3500 H01B514 H01B1300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282314066 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2010800322344 申请日:20100930
2017-04-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749997302 IPC(主分类):C23C 14/08 专利号:ZL2010800322344 变更事项:专利权人变更前:吉坤日矿日石金属株式会社变更后:捷客斯金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2012-05-23	公开	公开
2016-05-18	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 [P].

高见英生 ;

生泽正克 .

中国专利 :CN105439541A ,2016-03-30

[2]

氧化铟系烧结体及氧化铟系透明导电膜 [P].

生泽正克 ;

高见英生 .

中国专利 :CN102666429A ,2012-09-12

[3]

氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法 [P].

井上一吉 ;

松原雅人 ;

笘井重和 .

中国专利 :CN1930318B ,2007-03-14

[4]

氧化铟类透明导电膜及其制造方法 [P].

高桥诚一郎 ;

宫下德彦 .

中国专利 :CN101317237A ,2008-12-03

[5]

透明导电膜制造用的氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN102171160A ,2011-08-31

[6]

透明导电膜制造用的氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN102171159A ,2011-08-31

[7]

氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法 [P].

具本庆 ;

尹汉镐 ;

朴柱玉 ;

朴炯律 ;

金眩秀 ;

崔成龙 ;

崔仲烈 ;

宋礼根 ;

朴峻弘 .

中国专利 :CN101457344B ,2009-06-17

[8]

透明导电膜用层叠体、透明导电膜、以及透明导电膜的制造方法 [P].

木下博贵 ;

永绳智史 .

中国专利 :CN115335224A ,2022-11-11

[9]

透明导电膜用层叠体、透明导电膜、以及透明导电膜的制造方法 [P].

木下博贵 ;

永绳智史 .

日本专利 :CN115335224B ,2025-01-03

[10]

氧化物烧结体、其制造方法、用它制造透明导电膜的方法以及所得的透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN101038796B ,2007-09-19

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