氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110177081.9

申请日：

2011-06-28

公开(公告)号：

CN102244159B

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

郑怀文张逸韵吴奎杨华李璟

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3344

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-16	公开	公开
2013-08-14	授权	授权
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180311120 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101770819 申请日:20110628

共 50 条

[1]

氧化铟锡薄膜表面粗化方法 [P].

李云鹏 ;

董乔 .

中国专利 :CN113991038B ,2024-12-24

[2]

氧化铟锡薄膜表面粗化方法 [P].

李云鹏 ;

董乔 .

中国专利 :CN113991038A ,2022-01-28

[3]

氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘海笑 ;

王钦宁 ;

吴巍 ;

李树红 ;

马英姿 ;

董艳 ;

张仲江 .

中国专利 :CN101615450A ,2009-12-30

[4]

金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法 [P].

龚大卫 ;

樊永良 ;

蒋最敏 ;

候晓远 ;

王迅 .

中国专利 :CN1257135A ,2000-06-21

[5]

一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏青峰 ;

宋姜兴子 ;

田敬坤 ;

王传博 ;

奚明 .

中国专利 :CN117721446A ,2024-03-19

[6]

低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

唐武 ;

王雅琴 .

中国专利 :CN103590000A ,2014-02-19

[7]

透明导电铟掺杂氧化锡 [P].

K·K·乌普雷蒂 ;

K·H·拉克达瓦拉 ;

R·谢伦伯格 ;

M·A·艾利 .

中国专利 :CN106460154A ,2017-02-22

[8]

一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

黄靖云 ;

陆波静 ;

夏功伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN114807856A ,2022-07-29

[9]

柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法 [P].

王德苗 ;

苏达 ;

金浩 ;

任高潮 .

中国专利 :CN101294272A ,2008-10-29

[10]

GaN基LED管芯透明导电薄膜的粗化结构 [P].

沈燕 ;

李洪斌 ;

王建华 ;

刘存志 .

中国专利 :CN201667343U ,2010-12-08

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