氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010532678.6

申请日：

2010-10-29

公开(公告)号：

CN102051587A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

姜信赫崔畯皓高榥庸郑相澈

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408 G02F11343

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

陈万青;王珍仙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081907115 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2010105326786 申请日:20101029
2011-05-11	公开	公开
2014-09-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705309265 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2010105326786 申请公布日:20110511

共 50 条

[1]

溅射靶和透明导电膜 [P].

井上一吉 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN1283831C ,2004-09-15

[2]

溅射靶、透明导电氧化物和制备该溅射靶的方法 [P].

井上一吉 ;

渋谷忠夫 ;

海上晓 .

中国专利 :CN1379827A ,2002-11-13

[3]

透明导电膜用溅射靶 [P].

矢野智泰 ;

儿平寿博 ;

立山伸一 ;

中村信一郎 .

中国专利 :CN110546300B ,2019-12-06

[4]

透明导电膜用溅射靶 [P].

矢野智泰 ;

儿平寿博 ;

立山伸一 ;

中村信一郎 .

中国专利 :CN110546299B ,2019-12-06

[5]

溅射靶、透明导电膜及透明电极 [P].

矢野公规 ;

井上一吉 ;

田中信夫 .

中国专利 :CN101268211A ,2008-09-17

[6]

溅射靶、透明导电膜及透明电极 [P].

矢野公规 ;

井上一吉 ;

田中信夫 ;

海上晓 ;

梅野聪 .

中国专利 :CN101258263A ,2008-09-03

[7]

溅射靶、透明导电膜及它们的制造方法 [P].

井上一吉 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN1545567A ,2004-11-10

[8]

铟锡氧化物溅射靶 [P].

内海健太郎 ;

黑泽聪 ;

星野浩邦 .

中国专利 :CN1180123C ,2002-12-18

[9]

铟锡氧化物溅射靶 [P].

大桥建夫 ;

熊原吉一 .

中国专利 :CN1365398A ,2002-08-21

[10]

氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法 [P].

井上一吉 ;

松原雅人 ;

笘井重和 .

中国专利 :CN1930318B ,2007-03-14

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