氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010532678.6
申请日
2010-10-29
公开(公告)号
CN102051587A
公开(公告)日
2011-05-11
发明(设计)人
姜信赫 崔畯皓 高榥庸 郑相澈
申请人
申请人地址
韩国庆尚北道
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
C23C1408 G02F11343
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
陈万青;王珍仙
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[21]
溅射靶材和透明导电薄膜 [P]. 
井上一吉 ;
松崎滋夫 .
中国专利 :CN1558962A ,2004-12-29
[22]
制造高密度氧化锡铟(ITO)溅射靶 [P]. 
D·巴鲁克 .
中国专利 :CN103221572A ,2013-07-24
[23]
透明导电膜和制造所述透明导电膜的方法以及用于所述方法的溅射靶 [P]. 
林一郎 ;
小高秀文 .
中国专利 :CN101631892A ,2010-01-20
[24]
烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜 [P]. 
奈良淳史 .
中国专利 :CN107012435B ,2017-08-04
[25]
溅射靶和溅射靶的制造方法 [P]. 
杉本圭次郎 ;
村田周平 .
中国专利 :CN111836914A ,2020-10-27
[26]
溅射靶和生产溅射靶的方法 [P]. 
皮特·波尔契克 ;
西拉德·科洛兹瓦里 ;
保罗·梅尔霍夫 ;
赫尔穆特·里德尔 .
中国专利 :CN110536974A ,2019-12-03
[27]
氧化锌系透明导体、溅射靶以及该溅射靶的制造方法 [P]. 
生泽正克 ;
矢作政隆 .
中国专利 :CN101490766B ,2009-07-22
[28]
溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法 [P]. 
矢野公规 ;
井上一吉 ;
田中信夫 ;
海上晓 ;
梅野聪 .
中国专利 :CN102337505A ,2012-02-01
[29]
溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法 [P]. 
矢野公规 ;
井上一吉 ;
田中信夫 ;
海上晓 ;
梅野聪 .
中国专利 :CN103469167A ,2013-12-25
[30]
氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜 [P]. 
长田幸三 .
中国专利 :CN100549219C ,2008-06-25