氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010532678.6

申请日：

2010-10-29

公开(公告)号：

CN102051587A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

姜信赫崔畯皓高榥庸郑相澈

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408 G02F11343

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

陈万青;王珍仙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081907115 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2010105326786 申请日:20101029
2011-05-11	公开	公开
2014-09-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705309265 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2010105326786 申请公布日:20110511

共 50 条

[41]

溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法 [P].

塚本志郎 .

中国专利 :CN1823178B ,2006-08-23

[42]

溅射靶材及该溅射靶材的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

中岛基 ;

马场晴之 .

中国专利 :CN109477206A ,2019-03-15

[43]

透明导电层的溅射靶材构造 [P].

陈林 .

中国专利 :CN202322993U ,2012-07-11

[44]

透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材 [P].

小高秀文 ;

光井彰 ;

中釜晋 .

中国专利 :CN101460651B ,2009-06-17

[45]

铜溅射靶和形成铜溅射靶的方法 [P].

V·塞加尔 ;

易骛文 ;

S·费拉泽 ;

吴季哲 ;

S·D·斯特罗特尔斯 ;

F·A·阿尔福德 ;

W·B·维莱特 .

中国专利 :CN100529163C ,2005-10-12

[46]

光学功能膜、溅射靶及溅射靶的制造方法 [P].

梅本启太 ;

白井孝典 ;

杉内幸也 ;

大友健志 .

中国专利 :CN112424390A ,2021-02-26

[47]

陶瓷膜、溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P].

除補正则 ;

长尾昌芳 .

中国专利 :CN109234689B ,2019-01-18

[48]

氧化锌系烧结体及其制造方法和溅射靶以及透明导电膜 [P].

窪内裕太 .

中国专利 :CN105008306A ,2015-10-28

[49]

氧化铟系烧结体及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

川岛浩和 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

笠见雅司 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN102245533B ,2011-11-16

[50]

氧化铟系烧结体及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

川岛浩和 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

笠见雅司 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN103204674A ,2013-07-17

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