氧化铟系烧结体及溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980150518.0

申请日：

2009-06-01

公开(公告)号：

CN102245533B

公开(公告)日：

2011-11-16

发明(设计)人：

井上一吉宇都野太川岛浩和矢野公规笘井重和笠见雅司寺井恒太

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C23C1434

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效申请日:20090601 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180311059 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2009801505180
2011-11-16	公开	公开
2013-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化铟系烧结体及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

川岛浩和 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

笠见雅司 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN103204674A ,2013-07-17

[2]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 ;

得平雅也 ;

米田阳一郎 .

中国专利 :CN103201232B ,2013-07-10

[3]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

田尾幸树 ;

金丸守贺 ;

南部旭 ;

畠英雄 .

中国专利 :CN104619673B ,2015-05-13

[4]

氧化物烧结体及溅射靶材 [P].

宇都野太 ;

井上一吉 ;

川岛浩和 ;

笠见雅司 ;

矢野公规 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN102159517B ,2011-08-17

[5]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103415488A ,2013-11-27

[6]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

松元谦士 ;

井上雅树 ;

中村信一郎 ;

矢野智泰 .

中国专利 :CN110741106A ,2020-01-31

[7]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110636996B ,2019-12-31

[8]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103429554A ,2013-12-04

[9]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110662727A ,2020-01-07

[10]

氧化铟系烧结体及氧化铟系透明导电膜 [P].

生泽正克 ;

高见英生 .

中国专利 :CN102666429A ,2012-09-12

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