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采用银膜刻蚀制备柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的方法与应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411772136.4
申请日
:
2024-12-04
公开(公告)号
:
CN119581101A
公开(公告)日
:
2025-03-07
发明(设计)人
:
曹文鑫
孙春强
朱嘉琦
王卓超
李坤
段超
高岗
申请人
:
哈尔滨工业大学
申请人地址
:
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号
:
H01B5/14
IPC分类号
:
H01B13/00
代理机构
:
哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213
代理人
:
宋政良
法律状态
:
公开
国省代码
:
山东省 威海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-07
公开
公开
2025-03-25
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01B 5/14申请日:20241204
共 50 条
[1]
低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
唐武
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唐武
;
王雅琴
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王雅琴
.
中国专利
:CN103590000A
,2014-02-19
[2]
氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
刘海笑
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刘海笑
;
王钦宁
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王钦宁
;
吴巍
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吴巍
;
李树红
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李树红
;
马英姿
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马英姿
;
董艳
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董艳
;
张仲江
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张仲江
.
中国专利
:CN101615450A
,2009-12-30
[3]
柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法
[P].
王德苗
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王德苗
;
苏达
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苏达
;
金浩
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金浩
;
任高潮
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任高潮
.
中国专利
:CN101294272A
,2008-10-29
[4]
金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
[P].
龚大卫
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龚大卫
;
樊永良
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樊永良
;
蒋最敏
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蒋最敏
;
候晓远
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候晓远
;
王迅
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王迅
.
中国专利
:CN1257135A
,2000-06-21
[5]
一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法
[P].
苏青峰
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
苏青峰
;
宋姜兴子
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
宋姜兴子
;
田敬坤
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
田敬坤
;
王传博
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
王传博
;
奚明
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机构:
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
奚明
.
中国专利
:CN117721446A
,2024-03-19
[6]
氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
[P].
郑怀文
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郑怀文
;
张逸韵
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张逸韵
;
吴奎
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吴奎
;
杨华
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杨华
;
李璟
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李璟
.
中国专利
:CN102244159B
,2011-11-16
[7]
一种柔性氧化铟锡透明导电薄膜卷对卷湿法刻蚀及图案化的方法
[P].
阳军亮
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阳军亮
;
李恒月
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李恒月
;
张楚俊
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张楚俊
;
龚辰迪
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龚辰迪
.
中国专利
:CN108417313A
,2018-08-17
[8]
一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法
[P].
朱嘉琦
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朱嘉琦
;
杨磊
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杨磊
;
曹文鑫
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曹文鑫
;
韩杰才
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韩杰才
.
中国专利
:CN103311375A
,2013-09-18
[9]
一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法
[P].
黄靖云
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黄靖云
;
陆波静
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陆波静
;
夏功伟
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夏功伟
;
叶志镇
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叶志镇
.
中国专利
:CN114807856A
,2022-07-29
[10]
一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法
[P].
王革
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王革
;
李媛媛
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李媛媛
;
彭铮
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彭铮
;
彭德香
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彭德香
;
王文静
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王文静
.
中国专利
:CN102544233A
,2012-07-04
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