STT－MRAM存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710170234.4

申请日：

2017-03-21

公开(公告)号：

CN108630721A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

尚恩明胡少坚陈寿面

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区上海张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2722

IPC分类号：

H01L4308

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王仙子

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-09	公开	公开
2020-10-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/22 申请公布日:20181009

共 50 条

[1]

STT－MRAM存储单元 [P].

尚恩明 ;

胡少坚 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN106783907A ,2017-05-31

[2]

STT－MRAM存储单元 [P].

尚恩明 ;

胡少坚 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN106531883A ,2017-03-22

[3]

一种STT-MRAM存储单元 [P].

王真 ;

何岳巍 ;

胡少杰 ;

闵泰 .

中国专利 :CN106783862B ,2017-05-31

[4]

一种STT-MRAM存储单元 [P].

胡少坚 ;

王全 ;

陈寿面 ;

任铮 ;

郭奥 .

中国专利 :CN104134456A ,2014-11-05

[5]

MRAM存储单元 [P].

H·赫尼施米德 .

中国专利 :CN1207719C ,2002-02-06

[6]

MRAM存储单元 [P].

何世坤 ;

熊保玉 ;

竹敏 ;

韩谷昌 .

中国专利 :CN110660420B ,2020-01-07

[7]

SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器 [P].

殷标 ;

孟皓 .

中国专利 :CN111739570B ,2020-10-02

[8]

STT-MRAM中的字线电压控制 [P].

杨赛森 ;

迈赫迪·哈米迪·萨尼 ;

升·H·康 .

中国专利 :CN102203870A ,2011-09-28

[9]

基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P].

符艳军 ;

潘成 ;

付振 ;

王帅鹏 ;

马媛 .

中国专利 :CN119317116A ,2025-01-14

[10]

基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P].

符艳军 ;

潘成 ;

付振 ;

王帅鹏 ;

马媛 .

中国专利 :CN119317116B ,2025-09-30

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