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基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411408314.5
申请日：
2024-10-10
公开(公告)号：
CN119317116A
公开(公告)日：
2025-01-14
发明(设计)人：
符艳军 潘成 付振 王帅鹏 马媛
申请人：
北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址：
100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
IPC主分类号：
H10B61/00
IPC分类号：
H10N50/10 H10N50/01 H10N50/20
代理机构：
北京正砚知识产权代理有限公司 16161
代理人：
高敏
法律状态：
授权
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 授权 授权
2025-02-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 61/00申请日:20241010
2025-01-14 公开 公开
共 50 条
[1]
基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P]. 
符艳军 ;
潘成 ;
付振 ;
王帅鹏 ;
马媛 .
中国专利 :CN119317116B ,2025-09-30
[2]
MRAM存储单元 [P]. 
何世坤 ;
熊保玉 ;
竹敏 ;
韩谷昌 .
中国专利 :CN110660420B ,2020-01-07
[3]
MRAM存储单元 [P]. 
H·赫尼施米德 .
中国专利 :CN1207719C ,2002-02-06
[4]
SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器 [P]. 
曹鑫 ;
王梦溪 ;
李州 ;
刘士琦 .
中国专利 :CN119698230A ,2025-03-25
[5]
SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器 [P]. 
高扬 ;
孙一慧 .
中国专利 :CN119317347A ,2025-01-14
[6]
自旋轨道矩差分存储单元及MRAM存储器 [P]. 
石以诺 ;
李州 ;
刘波 .
中国专利 :CN118574502A ,2024-08-30
[7]
SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器 [P]. 
殷标 ;
孟皓 .
中国专利 :CN111739570B ,2020-10-02
[8]
SOT-MRAM存储单元及其制备方法和SOT-MRAM差分存储结构 [P]. 
曹鑫 ;
王梦溪 ;
李州 .
中国专利 :CN120529594A ,2025-08-22
[9]
磁存储单元及SOT-MRAM存储器 [P]. 
何世坤 .
中国专利 :CN111370573A ,2020-07-03
[10]
磁存储单元及SOT-MRAM存储器 [P]. 
杨成成 ;
何世坤 .
中国专利 :CN111370571B ,2020-07-03
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