MRAM存储单元

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专利类型
发明
申请号
CN01125963.9
申请日
2001-07-18
公开(公告)号
CN1207719C
公开(公告)日
2002-02-06
发明(设计)人
H·赫尼施米德
申请人
申请人地址
联邦德国慕尼黑
IPC主分类号
G11C1115
IPC分类号
G11C1100
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
张志醒
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
MRAM存储单元 [P]. 
何世坤 ;
熊保玉 ;
竹敏 ;
韩谷昌 .
中国专利 :CN110660420B ,2020-01-07
[2]
STT-MRAM存储单元 [P]. 
尚恩明 ;
胡少坚 ;
陈寿面 .
中国专利 :CN106783907A ,2017-05-31
[3]
STT-MRAM存储单元 [P]. 
尚恩明 ;
胡少坚 ;
陈寿面 .
中国专利 :CN108630721A ,2018-10-09
[4]
STT-MRAM存储单元 [P]. 
尚恩明 ;
胡少坚 ;
陈寿面 .
中国专利 :CN106531883A ,2017-03-22
[5]
SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器 [P]. 
殷标 ;
孟皓 .
中国专利 :CN111739570B ,2020-10-02
[6]
一种STT-MRAM存储单元 [P]. 
王真 ;
何岳巍 ;
胡少杰 ;
闵泰 .
中国专利 :CN106783862B ,2017-05-31
[7]
基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P]. 
符艳军 ;
潘成 ;
付振 ;
王帅鹏 ;
马媛 .
中国专利 :CN119317116A ,2025-01-14
[8]
基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P]. 
符艳军 ;
潘成 ;
付振 ;
王帅鹏 ;
马媛 .
中国专利 :CN119317116B ,2025-09-30
[9]
SOT-MRAM存储单元和可控逻辑器件 [P]. 
李州 ;
孟皓 ;
石以诺 ;
刘波 .
中国专利 :CN118335131A ,2024-07-12
[10]
基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列 [P]. 
何世坤 ;
刘少鹏 ;
熊保玉 .
中国专利 :CN111223506A ,2020-06-02