用于在半导体结构中形成阻挡层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180000354.4

申请日：

2021-01-27

公开(公告)号：

CN112956012B

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

周鹏吕术亮毛格李远宋锐

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H10B43/35 H10B43/27 H01L21/67

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

林锦辉

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012A ,2021-06-11

[2]

阻挡层的去除方法和半导体结构的形成方法 [P].

贾照伟 ;

肖东风 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN107078040A ,2017-08-18

[3]

阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法 [P].

金一诺 ;

代迎伟 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN107078065A ,2017-08-18

[4]

用于在形成半导体设备中形成电介质层的方法 [P].

杨永刚 ;

周小红 .

中国专利 :CN114270515A ,2022-04-01

[5]

具有薄阻挡层的半导体层结构 [P].

T.刘 ;

李星 ;

H.杰 .

中国专利 :CN113851930A ,2021-12-28

[6]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

[7]

在半导体结构中形成材料层的方法 [P].

C·格拉斯 ;

M·特伦茨施 ;

B·巴哈 ;

P·科罗顿泰勒 .

中国专利 :CN103681351B ,2014-03-26

[8]

半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件 [P].

F·欣特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩乔 .

中国专利 :CN1208249A ,1999-02-17

[9]

包括阻挡层的半导体电极 [P].

阿拉温德·库马尔·钱迪兰 ;

穆罕默德·哈贾·纳泽鲁丁 ;

迈克尔·格雷泽尔 .

中国专利 :CN104106118B ,2014-10-15

[10]

阻挡层形成方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中野竜 .

中国专利 :CN113496893A ,2021-10-12

← 1 2 3 4 5 →