在半导体结构中形成材料层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310386403.X

申请日：

2013-08-30

公开(公告)号：

CN103681351B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

C·格拉斯 M·特伦茨施 B·巴哈 P·科罗顿泰勒

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	授权	授权
2014-03-26	公开	公开
2020-08-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130830 授权公告日:20160907 终止日期:20190830
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581689788 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201310386403X 申请日:20130830

共 50 条

[1]

在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法 [P].

罗加聘 ;

柯天麒 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108336014A ,2018-07-27

[2]

形成材料层的方法、半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金润洙 ;

金在员 ;

金海龙 ;

李珍镐 ;

翼白鸟 .

中国专利 :CN113862635A ,2021-12-31

[3]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012A ,2021-06-11

[4]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012B ,2024-02-23

[5]

在半导体构造中的开口内形成材料的方法和半导体构造 [P].

G·S·桑胡 ;

S·瓦尔盖斯 ;

J·A·斯迈思 ;

H·S·金 .

中国专利 :CN109256325A ,2019-01-22

[6]

在半导体材料层中形成隔离结构的方法和形成沟槽的方法 [P].

魏代龙 ;

王连红 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109148355A ,2019-01-04

[7]

形成经松弛半导体材料层、半导体结构、装置的方法及包含经松弛半导体材料层、半导体结构、装置的工程衬底 [P].

法布里斯·勒泰特 ;

布鲁斯·福雷 ;

迈克尔·R·克拉梅什 ;

内森·F·加德纳 .

中国专利 :CN102239538A ,2011-11-09

[8]

半导体结构中氧化层的形成方法 [P].

卢康 .

中国专利 :CN110896022B ,2020-03-20

[9]

应用牺牲材料在半导体结构中形成穿过晶片互连的方法及通过该方法形成的半导体结构 [P].

M·佐高 .

中国专利 :CN103081090A ,2013-05-01

[10]

用于在半导体结构中形成通孔的方法及系统 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118173498A ,2024-06-11

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