在半导体材料层中形成隔离结构的方法和形成沟槽的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811028511.9

申请日：

2018-09-05

公开(公告)号：

CN109148355A

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

魏代龙王连红黄晓橹

申请人：

申请人地址：

223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

田菁

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20190104
2019-01-04	公开	公开
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20180905

共 50 条

[1]

在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法 [P].

罗加聘 ;

柯天麒 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108336014A ,2018-07-27

[2]

在STI沟槽中形成半导体材料的方法 [P].

马丁·克里斯多夫·霍兰德 ;

乔治斯·威廉提斯 .

中国专利 :CN104051267B ,2014-09-17

[3]

在半导体器件中形成隔离沟槽的方法 [P].

吴容哲 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN1218988A ,1999-06-09

[4]

在半导体结构中形成材料层的方法 [P].

C·格拉斯 ;

M·特伦茨施 ;

B·巴哈 ;

P·科罗顿泰勒 .

中国专利 :CN103681351B ,2014-03-26

[5]

用于在沟槽中形成半导体区的方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103972059B ,2014-08-06

[6]

用于在形成半导体设备中形成电介质层的方法 [P].

杨永刚 ;

周小红 .

中国专利 :CN114270515A ,2022-04-01

[7]

浅沟槽隔离的沟槽形成方法和半导体结构 [P].

朱旋 .

中国专利 :CN101290874A ,2008-10-22

[8]

在半导体装置中形成隔离结构的方法 [P].

银炳秀 .

中国专利 :CN101383320B ,2009-03-11

[9]

在半导体衬底中形成窄沟槽的方法 [P].

石甫渊 ;

苏根政 ;

约翰·E·阿马托 ;

布赖恩·D·普拉特 .

中国专利 :CN1592960A ,2005-03-09

[10]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012A ,2021-06-11

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