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在半导体器件中形成隔离沟槽的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN98125145.5
申请日：
1998-11-26
公开(公告)号：
CN1218988A
公开(公告)日：
1999-06-09
发明(设计)人：
吴容哲
朴泳雨
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2176
IPC分类号：
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：
谢丽娜
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2003-05-28 | 授权 | 授权 |
| 1999-05-05 | 实质审查请求的生效 | 实质审查请求的生效 |
| 1999-06-09 | 公开 | 公开 |
| 2011-02-02 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101035925025 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL981251455 申请日:19981126 授权公告日:20030528 终止日期:20091228 |