在半导体器件中形成隔离膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310114810.1

申请日：

2003-11-07

公开(公告)号：

CN1499605A

公开(公告)日：

2004-05-26

发明(设计)人：

李圣勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-05-26	公开	公开
2017-12-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/76 申请日:20031107 授权公告日:20070523 终止日期:20161107
2007-05-23	授权	授权

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

柳春根 .

中国专利 :CN100372096C ,2006-05-03

[2]

半导体器件中形成器件隔离膜的方法 [P].

崔亨锡 ;

魏宝灵 .

中国专利 :CN1716565A ,2006-01-04

[3]

形成半导体器件的隔离膜的方法 [P].

李圣勋 .

中国专利 :CN1512558A ,2004-07-14

[4]

在半导体器件中形成隔离沟槽的方法 [P].

吴容哲 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN1218988A ,1999-06-09

[5]

在半导体器件中形成隔离层的方法 [P].

金大均 .

中国专利 :CN101452875B ,2009-06-10

[6]

在半导体器件中形成隔离层的方法 [P].

杨永镐 .

中国专利 :CN1767165A ,2006-05-03

[7]

形成半导体器件的元件隔离膜的方法 [P].

张世亿 ;

宋泰植 ;

金荣福 ;

赵炳珍 ;

金钟哲 .

中国专利 :CN1062679C ,1997-11-19

[8]

形成半导体器件的隔离膜的方法 [P].

李仁鲁 .

中国专利 :CN100468686C ,2006-12-06

[9]

半导体器件的元件隔离膜的形成方法 [P].

朴哲秀 .

中国专利 :CN1254865C ,2003-07-30

[10]

半导体器件中的隔离方法 [P].

权五成 .

中国专利 :CN1064779C ,1997-10-15

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