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半导体器件中形成器件隔离膜的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200410081783.7
申请日：
2004-12-31
公开(公告)号：
CN1716565A
公开(公告)日：
2006-01-04
发明(设计)人：
崔亨锡
魏宝灵
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L21822
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
陶凤波;侯宇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2006-01-04 | 公开 | 公开 |
| 2006-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2007-10-31 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 |