在半导体器件中形成隔离层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410081950.8

申请日：

2004-12-30

公开(公告)号：

CN1767165A

公开(公告)日：

2006-05-03

发明(设计)人：

杨永镐

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-03	公开	公开
2015-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599919580 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL2004100819508 申请日:20041230 授权公告日:20071017 终止日期:20131230
2007-10-17	授权	授权
2006-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成隔离层的方法 [P].

金大均 .

中国专利 :CN101452875B ,2009-06-10

[2]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

柳春根 .

中国专利 :CN100372096C ,2006-05-03

[3]

在半导体存储器件中形成隔离层的方法 [P].

李承撤 ;

朴相昱 ;

宋弼根 .

中国专利 :CN1744296A ,2006-03-08

[4]

半导体器件中形成器件隔离膜的方法 [P].

崔亨锡 ;

魏宝灵 .

中国专利 :CN1716565A ,2006-01-04

[5]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

李圣勋 .

中国专利 :CN1499605A ,2004-05-26

[6]

形成半导体器件的隔离层的方法 [P].

董且德 ;

赵挥元 ;

金正根 ;

郑哲谟 ;

金奭中 ;

李正九 .

中国专利 :CN101174575A ,2008-05-07

[7]

形成半导体器件的隔离层的方法 [P].

李旭河 .

中国专利 :CN1099132C ,1998-05-13

[8]

在半导体器件中形成隔离沟槽的方法 [P].

吴容哲 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN1218988A ,1999-06-09

[9]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

金钟勋 .

中国专利 :CN100416774C ,2007-03-21

[10]

在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

T·M·巴里 ;

N·德戈 ;

D·A·埃里克森 ;

A·S·凯尔科 ;

B·J·拉森 .

中国专利 :CN1701433A ,2005-11-23

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