在半导体存储器件中形成隔离层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510005778.2

申请日：

2005-01-25

公开(公告)号：

CN1744296A

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

李承撤朴相昱宋弼根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-28	授权	授权
2006-03-08	公开	公开
2015-03-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602182558 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL2005100057782 申请日:20050125 授权公告日:20120328 终止日期:20140125

共 50 条

[1]

形成半导体存储器件隔离层的方法 [P].

赵挥元 ;

赵种慧 .

中国专利 :CN101471281B ,2009-07-01

[2]

半导体存储器件隔离层的形成方法 [P].

赵种慧 ;

赵挥元 ;

金恩洙 .

中国专利 :CN101471305B ,2009-07-01

[3]

在半导体器件中形成隔离层的方法 [P].

杨永镐 .

中国专利 :CN1767165A ,2006-05-03

[4]

在半导体器件中形成隔离层的方法 [P].

金大均 .

中国专利 :CN101452875B ,2009-06-10

[5]

半导体存储器件以及形成半导体存储器件的方法 [P].

金振均 ;

李明范 ;

黄棋铉 .

中国专利 :CN101847602A ,2010-09-29

[6]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

李圣勋 .

中国专利 :CN1499605A ,2004-05-26

[7]

形成半导体存储器件的方法 [P].

张钦福 ;

冯立伟 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113241324A ,2021-08-10

[8]

在半导体元件中形成隔离层的方法 [P].

银炳秀 .

中国专利 :CN101383321B ,2009-03-11

[9]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

柳春根 .

中国专利 :CN100372096C ,2006-05-03

[10]

形成半导体器件的隔离层的方法 [P].

李旭河 .

中国专利 :CN1099132C ,1998-05-13

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