在半导体存储器件中形成隔离层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510005778.2

申请日：

2005-01-25

公开(公告)号：

CN1744296A

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

李承撤朴相昱宋弼根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-28	授权	授权
2006-03-08	公开	公开
2015-03-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602182558 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL2005100057782 申请日:20050125 授权公告日:20120328 终止日期:20140125

共 50 条

[41]

制造半导体存储器件的方法 [P].

孙玄洙 .

中国专利 :CN101533776A ,2009-09-16

[42]

半导体存储器件和半导体存储器件测试方法 [P].

中川宏 ;

大石贯时 .

中国专利 :CN100498975C ,2006-09-27

[43]

在半导体器件中形成隔离沟槽的方法 [P].

吴容哲 ;

朴泳雨 .

中国专利 :CN1218988A ,1999-06-09

[44]

半导体存储器件及其形成方法 [P].

李钟昱 ;

孙龙勋 ;

崔时荣 .

中国专利 :CN101330085A ,2008-12-24

[45]

半导体结构及其形成方法、半导体存储器件 [P].

王楚玉 .

中国专利 :CN109244118A ,2019-01-18

[46]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

丁相勋 ;

洪祥准 ;

沈善一 ;

金坰显 ;

文彰燮 .

中国专利 :CN112542467A ,2021-03-23

[47]

半导体存储器件和用于半导体存储器件的复位方法 [P].

高野将 .

中国专利 :CN101471127B ,2009-07-01

[48]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

郭采硕 ;

宋在俊 ;

徐宁焄 ;

金炫兑 ;

朴荣奭 .

韩国专利 :CN120614813A ,2025-09-09

[49]

半导体存储器件和用于运行半导体存储器件的方法 [P].

M·布罗克斯 .

中国专利 :CN1842875A ,2006-10-04

[50]

半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法 [P].

宋昊柱 ;

金硕炫 ;

金永埈 ;

朴晋亨 ;

李蕙兰 ;

金奉秀 ;

金成禹 .

韩国专利 :CN112310080B ,2025-12-30

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