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在半导体存储器件中形成隔离层的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200510005778.2
申请日：
2005-01-25
公开(公告)号：
CN1744296A
公开(公告)日：
2006-03-08
发明(设计)人：
李承撤
朴相昱
宋弼根
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2176
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
陶凤波;侯宇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2006-05-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2012-03-28 | 授权 | 授权 |
| 2006-03-08 | 公开 | 公开 |
| 2015-03-25 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602182558 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL2005100057782 申请日:20050125 授权公告日:20120328 终止日期:20140125 |