半导体器件的隔离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02120222.2

申请日：

2002-05-20

公开(公告)号：

CN1387248A

公开(公告)日：

2002-12-25

发明(设计)人：

柳载润朴文汉安东浩洪锡薰朴暻媛李正守

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;谷惠敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-12-25	公开	公开
2006-08-02	授权	授权
2004-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004440409 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL021202222 申请日:20020520 授权公告日:20060802

共 50 条

[1]

半导体器件隔离方法 [P].

黄民旭 ;

梁兴模 ;

金载浩 ;

崔原泽 ;

洪源徹 .

中国专利 :CN1092401C ,1996-12-25

[2]

形成半导体器件的隔离层的方法 [P].

董且德 ;

赵挥元 ;

金正根 ;

郑哲谟 ;

金奭中 ;

李正九 .

中国专利 :CN101174575A ,2008-05-07

[3]

半导体器件的器件隔离方法 [P].

安东浩 ;

安性俊 ;

申裕均 ;

金允基 .

中国专利 :CN1059517C ,1996-05-29

[4]

半导体器件中形成器件隔离膜的方法 [P].

崔亨锡 ;

魏宝灵 .

中国专利 :CN1716565A ,2006-01-04

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[6]

具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朴柱昱 .

中国专利 :CN1169208C ,2002-07-03

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[8]

制造用于闪存半导体器件的隔离结构的方法 [P].

金达 ;

唐树澍 ;

杨左娅 .

中国专利 :CN100461375C ,2007-06-13

[9]

半导体器件中的隔离方法 [P].

权五成 .

中国专利 :CN1064779C ,1997-10-15

[10]

沟槽隔离型半导体器件及相关的制造方法 [P].

尹祺锡 ;

安钟现 ;

卢官钟 ;

李惠庆 .

中国专利 :CN101000910A ,2007-07-18

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