半导体器件中的隔离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97101876.6

申请日：

1997-01-11

公开(公告)号：

CN1064779C

公开(公告)日：

1997-10-15

发明(设计)人：

权五成

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

杨梧

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-08-27	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-10-15	公开	公开
2009-03-11	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2001-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的器件隔离方法 [P].

安东浩 ;

安性俊 ;

申裕均 ;

金允基 .

中国专利 :CN1059517C ,1996-05-29

[2]

半导体器件隔离方法 [P].

黄民旭 ;

梁兴模 ;

金载浩 ;

崔原泽 ;

洪源徹 .

中国专利 :CN1092401C ,1996-12-25

[3]

半导体器件中形成器件隔离膜的方法 [P].

崔亨锡 ;

魏宝灵 .

中国专利 :CN1716565A ,2006-01-04

[4]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

李圣勋 .

中国专利 :CN1499605A ,2004-05-26

[5]

半导体器件隔离结构及半导体器件的制作方法 [P].

张峻豪 ;

杜璇 .

中国专利 :CN101359615A ,2009-02-04

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[7]

半导体器件的隔离方法 [P].

权五铉 ;

裴东住 .

中国专利 :CN1020991C ,1992-03-11

[8]

半导体器件的隔离方法 [P].

柳载润 ;

朴文汉 ;

安东浩 ;

洪锡薰 ;

朴暻媛 ;

李正守 .

中国专利 :CN1387248A ,2002-12-25

[9]

形成半导体器件槽隔离的方法 [P].

黄錤铉 ;

南硕佑 .

中国专利 :CN1239323A ,1999-12-22

[10]

在半导体器件中形成接触的方法及半导体器件 [P].

郑勋 .

中国专利 :CN1220486A ,1999-06-23

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