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形成半导体器件槽隔离的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN98125264.8
申请日：
1998-12-11
公开(公告)号：
CN1239323A
公开(公告)日：
1999-12-22
发明(设计)人：
黄錤铉
南硕佑
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2176
IPC分类号：
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：
谢丽娜
法律状态：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-02-10 | 专利权的终止(未缴年费专利权终止) | 专利权的终止(未缴年费专利权终止) |
| 1999-05-12 | 实质审查请求的生效 | 实质审查请求的生效 |
| 1999-12-22 | 公开 | 公开 |
| 2003-06-25 | 授权 | 授权 |