用于形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410749757.0

申请日：

2014-12-10

公开(公告)号：

CN104701179B

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

F.希尔勒 A.毛德 A.迈泽 H-J.舒尔策 H.韦伯 M.聪德尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331 H01L21316

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

蒋骏;徐红燕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616038929 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014107497570 申请日:20141210
2019-06-04	授权	授权
2015-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

用于形成半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

A.迈泽 ;

H-J.舒尔策 ;

H.韦伯 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN104701180B ,2015-06-10

[2]

用于形成半导体器件的方法 [P].

金宰熙 .

中国专利 :CN100547763C ,2008-03-19

[3]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

N·G·加纳戈纳 ;

M·耶利内克 ;

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

W·舒斯特雷德尔 .

中国专利 :CN106257628B ,2016-12-28

[4]

用于形成半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H.厄夫纳 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105609407B ,2016-05-25

[5]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

H·许斯肯 ;

A·毛德 ;

H-J·舒尔策 ;

W·勒斯纳 ;

H·舒尔策 .

中国专利 :CN104637940B ,2015-05-20

[6]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J.P.康拉特 ;

W.贝格纳 ;

R.埃斯特夫 ;

R.盖斯贝格尔 ;

F.格拉泽 ;

J.希尔森贝克 ;

R.K.约施 ;

S.克拉姆普 ;

S.克里韦克 ;

G.卢皮纳 ;

楢桥浩 ;

A.韦尔克尔 ;

S.韦勒特 .

中国专利 :CN110364489A ,2019-10-22

[7]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

G·塞德曼 ;

M·奥斯特迈尔 ;

W·卢茨 ;

J·阿森马赫尔 .

美国专利 :CN117546284A ,2024-02-09

[8]

半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P].

H-G·埃克尔 ;

M·米勒 .

中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24

[9]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

E.巴赫尔 ;

J.霍尔茨米勒 ;

H-J.舒尔策 ;

T.施魏因伯克 ;

J.维特博恩 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN104576711A ,2015-04-29

[10]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

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