半导体器件隔离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96105851.X

申请日：

1996-05-10

公开(公告)号：

CN1092401C

公开(公告)日：

1996-12-25

发明(设计)人：

黄民旭梁兴模金载浩崔原泽洪源徹

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-12-25	公开	公开
2012-07-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101289711305 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL96105851X 申请日:19960510 授权公告日:20021009 终止日期:20110510
1998-08-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-10-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的隔离方法 [P].

柳载润 ;

朴文汉 ;

安东浩 ;

洪锡薰 ;

朴暻媛 ;

李正守 .

中国专利 :CN1387248A ,2002-12-25

[2]

半导体器件中的隔离方法 [P].

权五成 .

中国专利 :CN1064779C ,1997-10-15

[3]

半导体器件的器件隔离方法 [P].

安东浩 ;

安性俊 ;

申裕均 ;

金允基 .

中国专利 :CN1059517C ,1996-05-29

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[5]

绝缘隔离半导体器件 [P].

张常军 ;

季锋 ;

王平 ;

陈祖银 .

中国专利 :CN205508823U ,2016-08-24

[6]

半导体器件中形成器件隔离膜的方法 [P].

崔亨锡 ;

魏宝灵 .

中国专利 :CN1716565A ,2006-01-04

[7]

沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 [P].

兰总金 ;

吴建波 .

中国专利 :CN119650510A ,2025-03-18

[8]

半导体器件隔离结构及半导体器件的制作方法 [P].

张峻豪 ;

杜璇 .

中国专利 :CN101359615A ,2009-02-04

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村广嗣 ;

西村正 ;

鹤田孝弘 ;

有本和民 ;

山形整人 ;

藤岛一康 .

中国专利 :CN1152432C ,1999-07-14

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村广嗣 ;

西村正 ;

鹤田孝弘 ;

有本和民 ;

山形整人 ;

藤岛一康 .

中国专利 :CN1053296C ,1996-10-09

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