半导体器件的隔离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN90109410.2

申请日：

1990-11-20

公开(公告)号：

CN1020991C

公开(公告)日：

1992-03-11

发明(设计)人：

权五铉裴东住

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

程天正;肖掬昌

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101035929032 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL901094102 申请日:19901120 授权公告日:19930526 终止日期:20091221
1993-05-26	授权	授权
1992-03-11	公开	公开
2002-04-24	其他有关事项	其他有关事项
1991-04-03	实质审查请求已生效的专利申请	实质审查请求已生效的专利申请

共 50 条

[1]

半导体器件的器件隔离方法 [P].

安东浩 ;

安性俊 ;

申裕均 ;

金允基 .

中国专利 :CN1059517C ,1996-05-29

[2]

半导体器件中的隔离方法 [P].

权五成 .

中国专利 :CN1064779C ,1997-10-15

[3]

形成半导体器件槽隔离的方法 [P].

黄錤铉 ;

南硕佑 .

中国专利 :CN1239323A ,1999-12-22

[4]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

葛薇薇 .

中国专利 :CN111725070A ,2020-09-29

[5]

形成半导体器件的隔离层的方法 [P].

李旭河 .

中国专利 :CN1099132C ,1998-05-13

[6]

半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P].

王秀金 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN117976607A ,2024-05-03

[7]

半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P].

王秀金 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN117976607B ,2024-06-21

[8]

隔离结构形成方法、半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

李世韦 ;

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN118888511A ,2024-11-01

[9]

隔离结构形成方法、半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

李世韦 ;

欧阳文森 ;

王胜林 .

中国专利 :CN118888511B ,2025-01-14

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杨旭刚 ;

田月姣 .

中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10

← 1 2 3 4 5 →