一种防磁场干扰的MRAM存储器芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322459372.8

申请日：

2023-09-08

公开(公告)号：

CN220856569U

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

高涛孙科宇

申请人：

极海微电子股份有限公司

申请人地址：

519060 广东省珠海市香洲区广湾街83号01栋1楼、2楼A区、3楼、5楼、6楼、7楼、8楼、9楼

IPC主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L23/48 H10B61/00 H10B80/00

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

姚宝然

法律状态：

授权

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种抗磁场干扰的铁磁性存储器 [P].

李洪伟 .

中国专利 :CN212934663U ,2021-04-09

[2]

一种防磁场干扰电源 [P].

董黎 .

中国专利 :CN214479265U ,2021-10-22

[3]

一种防磁场干扰电源 [P].

宋锦文 ;

高娟 .

中国专利 :CN223379511U ,2025-09-23

[4]

一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器 [P].

颜军 ;

陈像 ;

颜志宇 ;

龚永红 ;

王烈洋 ;

占连样 ;

汤凡 ;

蒲光明 ;

陈伙立 ;

骆征兵 .

中国专利 :CN213184261U ,2021-05-11

[5]

一种立体封装MRAM存储器 [P].

郭亚炜 .

中国专利 :CN220755378U ,2024-04-09

[6]

一种立体封装MRAM存储器 [P].

颜军 ;

汤凡 ;

王烈洋 ;

占连样 .

中国专利 :CN209471949U ,2019-10-08

[7]

一种立体封装MRAM存储器 [P].

颜军 ;

黄小虎 .

中国专利 :CN203103291U ,2013-07-31

[8]

基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P].

符艳军 ;

潘成 ;

付振 ;

王帅鹏 ;

马媛 .

中国专利 :CN119317116A ,2025-01-14

[9]

基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片 [P].

符艳军 ;

潘成 ;

付振 ;

王帅鹏 ;

马媛 .

中国专利 :CN119317116B ,2025-09-30

[10]

一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器 [P].

蒋信 ;

刘瑞盛 ;

喻涛 ;

简红 .

中国专利 :CN114335329B ,2022-04-12

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