一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410108809.X

申请日：

2024-01-25

公开(公告)号：

CN117995897A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

江希王猛袁嵩何艳静弓小武

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/165 H01L29/16

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

勾慧敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20240125
2024-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件 [P].

江希 ;

王猛 ;

袁嵩 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN221960979U ,2024-11-05

[2]

具有SiC/Si异质结的双栅低功耗LIGBT器件 [P].

袁嵩 ;

王猛 ;

江希 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN221805536U ,2024-10-01

[3]

具有SiC/Si异质结的双栅低功耗LIGBT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

王猛 ;

江希 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN118016704A ,2024-05-10

[4]

一种具有多沟槽的LIGBT器件 [P].

李泽宏 ;

王志明 ;

程然 ;

蒲小庆 ;

胡汶金 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111640786B ,2020-09-08

[5]

一种具有多沟槽的LIGBT器件 [P].

李泽宏 ;

王志明 ;

程然 ;

蒲小庆 ;

胡汶金 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111640785A ,2020-09-08

[6]

一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件 [P].

陈伟中 ;

魏子凯 ;

林徐葳 .

中国专利 :CN115458593A ,2022-12-09

[7]

一种集成双多功能槽栅的超结RC-LIGBT器件 [P].

陈伟中 ;

李程 ;

曾祥伟 ;

吴傲 .

中国专利 :CN118748204A ,2024-10-08

[8]

一种低开启电压的超结LIGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN215731727U ,2022-02-01

[9]

一种槽栅SOI LIGBT器件 [P].

乔明 ;

罗波 ;

杨帆 ;

刘新新 ;

张波 .

中国专利 :CN101419981A ,2009-04-29

[10]

一种低开启电压的超结LIGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725281A ,2021-11-30

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