半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380011458.4
申请日
2023-04-26
公开(公告)号
CN117413361A
公开(公告)日
2024-01-16
发明(设计)人
林雅弘 井上翼
申请人
新唐科技日本株式会社
申请人地址
日本京都府
IPC主分类号
H01L27/088
IPC分类号
H01L29/786 H01L29/06 H01L29/423
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
吕文卓
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
林雅弘 ;
井上翼 .
日本专利 :CN119208328A ,2024-12-27
[2]
半导体装置 [P]. 
林雅弘 ;
井上翼 .
日本专利 :CN117413361B ,2024-08-27
[3]
半导体装置 [P]. 
林雅弘 ;
井上翼 .
日本专利 :CN119208328B ,2025-08-29
[4]
半导体装置 [P]. 
胜田浩人 ;
平子正明 ;
今村武司 .
日本专利 :CN119908179A ,2025-04-29
[5]
半导体装置 [P]. 
大见忠弘 ;
寺本章伸 .
中国专利 :CN100595896C ,2008-06-18
[6]
半导体装置 [P]. 
安田英司 ;
佐佐木祯志 ;
山本兴辉 ;
伊藤裕介 ;
木村晃 .
日本专利 :CN120615331A ,2025-09-09
[7]
半导体装置 [P]. 
胜田浩人 ;
平子正明 ;
今村武司 .
日本专利 :CN119908179B ,2025-11-21
[8]
半导体装置 [P]. 
中村浩尚 ;
大河亮介 ;
安田英司 .
日本专利 :CN120898534A ,2025-11-04
[9]
半导体装置 [P]. 
今村武司 ;
平子正明 ;
大桥卓史 .
日本专利 :CN119096358A ,2024-12-06
[10]
半导体装置 [P]. 
大桥卓史 ;
今村武司 ;
胜田浩人 .
日本专利 :CN119096357B ,2025-10-17