半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202480009366.7
申请日
2024-05-14
公开(公告)号
CN120615331A
公开(公告)日
2025-09-09
发明(设计)人
安田英司 佐佐木祯志 山本兴辉 伊藤裕介 木村晃
申请人
新唐科技日本株式会社
申请人地址
日本
IPC主分类号
H10D30/63
IPC分类号
H01L25/07 H10D80/20 H10D84/83
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
吕文卓
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及半导体包装 [P]. 
吉持贤一 .
中国专利 :CN102569401A ,2012-07-11
[2]
半导体装置 [P]. 
田崎贵嗣 ;
长田俊哉 .
中国专利 :CN111816653A ,2020-10-23
[3]
半导体装置 [P]. 
黑川义元 ;
池田隆之 ;
田村辉 ;
上妻宗广 .
中国专利 :CN102804380A ,2012-11-28
[4]
半导体装置 [P]. 
胜田浩人 ;
平子正明 ;
今村武司 .
日本专利 :CN119908179A ,2025-04-29
[5]
半导体装置 [P]. 
林雅弘 ;
井上翼 .
日本专利 :CN117413361A ,2024-01-16
[6]
半导体装置 [P]. 
大见忠弘 ;
寺本章伸 .
中国专利 :CN100595896C ,2008-06-18
[7]
半导体装置 [P]. 
铃木早苗 .
中国专利 :CN103001582A ,2013-03-27
[8]
半导体装置 [P]. 
熊田惠志郎 .
日本专利 :CN117410287A ,2024-01-16
[9]
半导体装置 [P]. 
寺岛知秀 .
日本专利 :CN111834443B ,2024-06-07
[10]
半导体装置 [P]. 
胜田浩人 ;
平子正明 ;
今村武司 .
日本专利 :CN119908179B ,2025-11-21