半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010245350.X
申请日
2020-03-31
公开(公告)号
CN111816653A
公开(公告)日
2020-10-23
发明(设计)人
田崎贵嗣 长田俊哉
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2706
IPC分类号
H01L23528
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
董典红
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
安田英司 ;
佐佐木祯志 ;
山本兴辉 ;
伊藤裕介 ;
木村晃 .
日本专利 :CN120615331A ,2025-09-09
[2]
半导体装置 [P]. 
铃木早苗 .
中国专利 :CN103001582A ,2013-03-27
[3]
半导体装置 [P]. 
加藤一洋 .
中国专利 :CN103022998A ,2013-04-03
[4]
半导体装置 [P]. 
鹰巣博昭 .
中国专利 :CN114792725A ,2022-07-26
[5]
半导体装置 [P]. 
清水和宏 .
中国专利 :CN101752366B ,2010-06-23
[6]
半导体装置 [P]. 
西村一广 ;
田口晃一 ;
王丸武志 ;
冈本是英 ;
东幸干 .
日本专利 :CN118922939A ,2024-11-08
[7]
半导体装置 [P]. 
幸忠男 ;
田中智士 .
日本专利 :CN118235247A ,2024-06-21
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
新井康夫 ;
冲原将生 ;
葛西大树 .
中国专利 :CN102792444A ,2012-11-21
[9]
电力半导体装置 [P]. 
米田辰雄 .
中国专利 :CN1315746A ,2001-10-03
[10]
半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置 [P]. 
佐藤宪一郎 .
日本专利 :CN110323273B ,2025-02-25