电吸收调制器激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311285162.X

申请日：

2023-10-07

公开(公告)号：

CN117394138A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

韩宇

申请人：

武汉云岭光电股份有限公司

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区长城园路2号武汉澳新科技1号厂房102室

IPC主分类号：

H01S5/12

IPC分类号：

H01S5/026 H01S5/06

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

张小丽

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	授权	授权
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/12申请日:20231007
2024-01-12	公开	公开

共 50 条

[41]

电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法 [P].

梁松 ;

孔端花 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN101826699B ,2010-09-08

[42]

锗硅电吸收调制器 [P].

李亚明 ;

成步文 .

中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06

[43]

一种电吸收调制激光器偏置电路 [P].

任礼霞 ;

夏京盛 .

中国专利 :CN201946873U ,2011-08-24

[44]

一种电吸收调制激光器偏置电路 [P].

任礼霞 ;

夏京盛 .

中国专利 :CN102571003B ,2012-07-11

[45]

高速电吸收调制器的制作方法 [P].

胡小华 ;

王宝军 ;

王圩 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1258843C ,2004-10-13

[46]

调制器集成型激光器元件 [P].

大和屋武 ;

高木和久 .

中国专利 :CN103378544B ,2013-10-30

[47]

集成激光器和调制器系统 [P].

章逸飞 ;

T·H·巴尔特 .

美国专利 :CN120548502A ,2025-08-26

[48]

电吸收光调制器及其制造方法 [P].

中村厚 ;

北谷健 ;

冈本薰 ;

早川茂则 .

中国专利 :CN112398004A ,2021-02-23

[49]

高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法 [P].

姚齐 ;

魏思航 ;

周志强 ;

刘永康 .

中国专利 :CN115377798A ,2022-11-22

[50]

电吸收调制量子级联激光器集成芯片及制备方法 [P].

刘俊岐 ;

鹿希雨 ;

杨科 ;

刘峰奇 ;

张锦川 ;

翟慎强 ;

卓宁 ;

刘舒曼 ;

王利军 .

中国专利 :CN115603175A ,2023-01-13

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