高速电吸收调制器的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03109215.2

申请日：

2003-04-03

公开(公告)号：

CN1258843C

公开(公告)日：

2004-10-13

发明(设计)人：

胡小华王宝军王圩朱洪亮

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S522 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-04	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-06-07	授权	授权
2004-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备高速电吸收调制器的方法 [P].

张伟 ;

潘教青 ;

汪洋 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN101738748B ,2010-06-16

[2]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07

[3]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

中国专利 :CN112204459A ,2021-01-08

[4]

量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 [P].

邵永波 ;

赵玲娟 ;

于红艳 ;

潘教青 ;

王宝军 ;

王圩 .

中国专利 :CN102162968A ,2011-08-24

[5]

激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法 [P].

侯廉平 ;

王圩 ;

朱洪亮 ;

周帆 ;

王鲁峰 ;

边静 .

中国专利 :CN1790846A ,2006-06-21

[6]

一种锗硅电吸收调制器及其制作方法 [P].

孙嘉良 ;

刘雨菲 ;

蔡艳 ;

余明斌 .

中国专利 :CN114355634A ,2022-04-15

[7]

一种锗硅电吸收调制器及其制作方法 [P].

孙嘉良 ;

刘雨菲 ;

蔡艳 ;

余明斌 .

中国专利 :CN114355634B ,2025-05-06

[8]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN117742017A ,2024-03-22

[9]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10

[10]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 .

中国专利 :CN220894684U ,2024-05-03

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