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一种电吸收调制器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311781929.8
申请日
:
2023-12-22
公开(公告)号
:
CN117742017A
公开(公告)日
:
2024-03-22
发明(设计)人
:
文博昱
吴芳
申请人
:
深圳市斑岩光子技术有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区4号厂房1层
IPC主分类号
:
G02F1/017
IPC分类号
:
G02F1/015
代理机构
:
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人
:
何路;彭西洋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-09
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/017申请日:20231222
2024-03-22
公开
公开
共 50 条
[1]
一种电吸收调制器
[P].
文博昱
论文数:
0
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0
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机构:
深圳市斑岩光子技术有限公司
深圳市斑岩光子技术有限公司
文博昱
;
吴芳
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机构:
深圳市斑岩光子技术有限公司
深圳市斑岩光子技术有限公司
吴芳
.
中国专利
:CN221686772U
,2024-09-10
[2]
一种电吸收调制器
[P].
文博昱
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0
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机构:
深圳市斑岩光子技术有限公司
深圳市斑岩光子技术有限公司
文博昱
.
中国专利
:CN220894684U
,2024-05-03
[3]
电吸收调制器
[P].
余国民
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机构:
洛克利光子有限公司
洛克利光子有限公司
余国民
;
A·J·齐尔基
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机构:
洛克利光子有限公司
洛克利光子有限公司
A·J·齐尔基
.
英国专利
:CN112204459B
,2025-02-07
[4]
电吸收调制器
[P].
余国民
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余国民
;
A·J·齐尔基
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A·J·齐尔基
.
中国专利
:CN112204459A
,2021-01-08
[5]
一种电吸收调制器
[P].
胡晓
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机构:
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
胡晓
;
张宇光
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机构:
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
张宇光
;
陈代高
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机构:
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
陈代高
;
肖希
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机构:
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
肖希
;
王磊
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
王磊
;
刘敏
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机构:
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
刘敏
;
刘佳
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
刘佳
;
张红广
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
张红广
;
徐路
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机构:
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
徐路
.
中国专利
:CN114035347B
,2024-01-30
[6]
一种电吸收调制器
[P].
胡晓
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胡晓
;
张宇光
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张宇光
;
陈代高
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陈代高
;
肖希
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肖希
;
王磊
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王磊
;
刘敏
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刘敏
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刘佳
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刘佳
;
张红广
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张红广
;
徐路
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徐路
.
中国专利
:CN114035347A
,2022-02-11
[7]
SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器
[P].
余国民
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余国民
;
G.伊塞拉
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G.伊塞拉
;
J.弗里格里奥
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J.弗里格里奥
;
A.巴拉比奥
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A.巴拉比奥
.
中国专利
:CN210005813U
,2020-01-31
[8]
SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器
[P].
余国民
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余国民
.
中国专利
:CN109791314A
,2019-05-21
[9]
深量子阱电吸收调制器
[P].
D·P·布尔
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D·P·布尔
;
A·坦顿
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A·坦顿
;
M·R·T·谭
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M·R·T·谭
.
中国专利
:CN1909312A
,2007-02-07
[10]
锗硅电吸收调制器
[P].
李亚明
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李亚明
;
成步文
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成步文
.
中国专利
:CN105474078A
,2016-04-06
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