一种电吸收调制器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311781929.8
申请日
2023-12-22
公开(公告)号
CN117742017A
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
文博昱 吴芳
申请人
深圳市斑岩光子技术有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区4号厂房1层
IPC主分类号
G02F1/017
IPC分类号
G02F1/015
代理机构
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人
何路;彭西洋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 ;
吴芳 .
中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10
[2]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 .
中国专利 :CN220894684U ,2024-05-03
[3]
电吸收调制器 [P]. 
余国民 ;
A·J·齐尔基 .
英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07
[4]
电吸收调制器 [P]. 
余国民 ;
A·J·齐尔基 .
中国专利 :CN112204459A ,2021-01-08
[5]
一种电吸收调制器 [P]. 
胡晓 ;
张宇光 ;
陈代高 ;
肖希 ;
王磊 ;
刘敏 ;
刘佳 ;
张红广 ;
徐路 .
中国专利 :CN114035347B ,2024-01-30
[6]
一种电吸收调制器 [P]. 
胡晓 ;
张宇光 ;
陈代高 ;
肖希 ;
王磊 ;
刘敏 ;
刘佳 ;
张红广 ;
徐路 .
中国专利 :CN114035347A ,2022-02-11
[7]
SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器 [P]. 
余国民 ;
G.伊塞拉 ;
J.弗里格里奥 ;
A.巴拉比奥 .
中国专利 :CN210005813U ,2020-01-31
[8]
SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器 [P]. 
余国民 .
中国专利 :CN109791314A ,2019-05-21
[9]
深量子阱电吸收调制器 [P]. 
D·P·布尔 ;
A·坦顿 ;
M·R·T·谭 .
中国专利 :CN1909312A ,2007-02-07
[10]
锗硅电吸收调制器 [P]. 
李亚明 ;
成步文 .
中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06